Трансмиссионная электронная микроскопия реферат

23.09.2019 synchvedaback DEFAULT 1 comments

Для предотвращения выпадения свинца окраску проводят на капле цитрата свинца, которую помещают на пленку Parafilm под чашку Петри и обкладывают гранулами чистого NaOH [9]. Всю пробоподготовку проводить в халате и резиновых перчатках [11]. Дата обращения 24 января Лебедев разработал теорию дифракции в приложении к электронографу [2]. На поверхность непроводящих образцов напыляют тонкую пленку металла или покрывают специальной проводящей пастой на основе дисперсных частиц серебра. На биологических такого разрешения пока не удается низкой объекта. Электронный микроскоп принадлежит к числу наиболее полезных приборов в области методов исследования микроструктуры вещества.

Таким образом, вариации наклона микро участков поверхности вызывают резко выраженные изменения в выходе вторичных электронов. Этот эффект используется для получения информации о топографии трансмиссионная электронная микроскопия реферат.

Ряд методик обработки сигнала вторичных электронов используется для извлечения дополнительной информации или повышения качества изображения, например: методика подавления уровня шумов, состоящая в дифференцированном усилении сигнала, что дает усиление контраста на телевизионном изображении или на фотоснимке; методика нелинейного усиления, когда усилие контраста производится в определенном диапазоне интенсивностей сигнала на телевизионной трубке, что позволяет наблюдать детали на относительно темных участках изображения.

В методе у-модуляции на телевизионной электронно-лучевой трубке луч отклоняется в вертикальном направлении пропорционально сигналу с детектора см. Если используется какая-либо из описанных методик обработки сигнала, то необходимо более тщательно подходить к интерпретации изображений.

Образец объект обычно помещают в специальный объектодержатель на тонкой металлической сетке диаметром 2 — 3 мм. Катоды первых обычно состоят из вольфрамовой нити. В сущности, пушка напоминает триодную лампу. Методы криофиксации фиксации при очень низких — криогенных — температурах позволяют сохранить структуру и состав без использования химических фиксирующих веществ. Органические смолы и любые другие углеродсодержащие вещества, например, смазки, также удаляют с поверхности для предотвращения ее загрязнения углеродом и продуктами разложения углеводородов.

Некоторые практические вопросы применения растровой электронной микроскопии в материаловедческих лабораториях обсуждены в обзоре [5]. Трансмиссионная электронная микроскопия реферат преимуществом сканирующей электронной микроскопии является минимальная обработка образцов при подготовке их к исследованиям.

Практика подготовки образцов для сканирующей электронной микроскопии обсуждена в [6, 7]. Металлографические шлифы или поверхности излома металлических материалов могут исследоваться без всякой подготовки образцов.

Непроводящие материалы должны быть покрыты тонким проводящим слоем толщиной им для устранения зарядки образца. Обычно для этих целей используют углерод, золото и другие металлы, наносимые распылением или испарением в высоком вакууме. Окисление поверхности кислородом воздуха при длительном хранении или при высокотемпературной обработке может быть устранено электрохимической обработкой [8] или водородным восстановлением [9].

Поперечные сечения для исследования в растровом электронном микроскопе приготавливаются так же, как и в оптической микроскопии, однако следует более тщательно очищать поверхность от остатков полирующей жидкости или травящего раствора, так как они могут вызвать загрязнение поверхности при исследовании образца в условиях вакуума. Органические смолы и любые другие углеродсодержащие вещества, например, смазки, также удаляют с поверхности для предотвращения ее загрязнения углеродом и продуктами разложения углеводородов.

Микроструктура многофазных сплавов может быть выявлена глубоким травлением см. Октаэдрическая форма первичных кристаллов кремния и сложное расположение кремниевых трансмиссионная электронная микроскопия реферат в эвтектической структуре не выявляется на нетравленной полированной поверхности. Травление поверхности не производится при формировании изображения обратно отраженными электронами и контраст при этом возникает за счет различия атомных номеров элементов в разных точках поверхности.

Фаза, в состав которой входят тяжелые элементы с большими атомными номерами, на изображении в обратно отраженных электронах выглядит более светлой по сравнению с участками или фазами, содержащими более легкие элементы. Механическая полировка образца, содержащего твердые и мягкие фазы, часто приводит к появлению нежелательного в этом случае топографического контраста из-за их разной полируемости.

В некоторых случаяхпри отсутствии загрязнений на поверхности, различная полируемость позволяет получить хороший контраст во вторичных электронах рис. Слабо проявляющиеся изображения, например изображения магнитных доменов или картины каналирования электронов, вообще невозможно получить при наличии на поверхности деформированного слоя или неровностей.

Поэтому исследование микроструктуры этими методами требует приготовления гладких и свободных от деформации поверхностей. Электронные микроскопы можно условно разделить на три части в соответствии с их функциями: осветительная система, состоящая из электронной пушки и конденсорных линз, дающая тонкий электронный пучок для освещения образца; объективные линзы, расположенные непосредственно за образцом трансмиссионная электронная микроскопия реферат служащие для получения дифракционных картин и первого увеличенного изображения образца; система увеличения для получения конечного изображения.

Паштет из печени курсовая работаКраткий реферат о эдварде григеПротиводействие коррупции в беларуси реферат
Правила написания оформления курсовой работыЧеловек и его место в биосфере рефератДоклад по обж про обвалы
Реферат теория познания философияДоклад упражнения на перекладинеРеферат история развития кадастра в россии
Курсовая работа по теме миома маткиКак не волноваться во время докладаКурсовая работа бухгалтерский учет основных средств на предприятии
Менеджмент это профессия эссеМодели управления организационными изменениями докладДоклад на тему современный мир и россия

Кроме оптических частей микроскопы содержат камеру образца систему установки образца и регистрирующую систему [12, 13]. Осветительная система формирует падающий на образец частично когерентный пучок электронов регулируемого трансмиссионная электронная микроскопия реферат, интенсивности и угла расходимости.

Термин когерентность относится к интервалу сдвигов фаз в пучке, когда он достигает образца. Если электроны вылетают из точечного источника, то все длины волн электронов внутри пучка находятся в одной фазе относительно друг друга и освещение образца таким пучком является когерентным. Однако, если источник электронов настолько большой, что фазового соответствия между волнами электронов нет, то такое освещение полностью некогерентное.

На самом деле нить катода электронного микроскопа обеспечивает промежуточные условия между этими двумя крайними случаями и освещение следует рассматривать как частично когерентное. В ПЭМ размер области образца а, в которой освещение является когерентным, связан с угловой апертурой освещения б1 соотношением.

Электроны и электромагнитные волны, излучаемые просвечиваемым образцом в результате упругого и неупругого рассеяния или дифракции девочка ищет отца рецензия электронных волн делах 10 нм -- 1 мкм н зависит от типа изображения и ускоряющего напряжения микроскопа. Существуют различные способы электрохимического утонения проводящих материалов [14] трансмиссионная электронная микроскопия реферат ионного утонения непроводящих материалов.

Облучаемый высокоэнергетичными электронами образец испускает электроны разных типов и электромагнитные волны Последние возникают из-за процессов упругого и неупругого рассеяния. Для различных способов формирования изображении используются разные сигналы от образца. Изучая упруго рассеянные электроны, можно получить сведения о кристаллической структуре и дефектах образца и формировании изображения ни микрофотографиях участвуют и неупруго рассеянные электроны, вносящие вклад в интенсивность фона Исследования неупруго рассеянных электронов и других волн, испускаемых образцам рис.

В обычном просвечивающем режиме электронный микроскоп позволяет получать изображение в светлом СИ и темном ТП полях или изображение решетки рис. Светло польное темно-польное изображение образуется, когда для его получения используется только один проходящий дифракционянный пучок.

Сканирующая электронная микроскопия

трансмиссионная электронная Диаграмма хода лучей включая построение сферы Эвальда : 1 дифрагирующие плоскосгн; прошедший пучок: 3 -- дифрагированный пучок; 4 -- сильный дифрагированный пучок. Апертура объектива предохраняет от попадания всех других пучков в регистрирующую систему. Обычно образец ориентируется таким образом, что для некоторой группы плоскостей решетки почти полностью выполняется условие Брэггов.

В таком случае образуется только один диафрагированный пучок кроме падающего. Если для формирования изображения берется слабый темнопольный пучок, то получается темнопольное изображение в слабом пучке ТПСП. Изображение решетки образуется при интерференции по крайней мере двух пучков в плоскости изображения объективной линзы. Полосы микроскопия реферат можно наблюдать, если для изображения используется несколько систематических пучков отраженных от искомых плоскостейа изображение структуры получается при использовании множества пучков, имеющихся в Лауэ-зоне нулевого порядка.

Для получения изображения с высоким разрешением необходима специальная переналадка микроскопа. Объективная линза формирует дифракционную картину в своей задней фокальной плоскости рис. Первое изображение объекта повернуто на " относительно дифракционной картины. Последующими промежуточными и проекционными линзами эта дифракционная картина увеличивается.

При получении изображения способом растровой просвечивающей электронной микроскопии PПЭМ электронный пучок в виде тонкого зонда фиксируется на образце с помощью предполя объективной линзы. Зонд сканирует по образцу с помощью отклоняющих катушеки регистрируется интенсивность прошедшего пучка.

Обычно в материаловедении РПЭМ применяется для аналитической микроскопиикогда зонд фиксируется на малой ограниченной площади, и для определения химического состава образца исследуются либо энергетические потери прошедших электронов ЭППЭлибо рентгеновские лучи, возбужденные в образце обычно с помощью спектрометра энергетической дисперсии.

Микроскопия реферат РПЭМ отраженные электроны можно собирать так же, как и вторичные. Растровые микрофотографии подобны получаемым на обычном растровом электронном микроскопе.

Курсовая работа: Современные методы изучения вещества просвечивающий электронный микроскоп

С их помощью можно получать информацию о топографии поверхности образца. Ход лучей в области объективной линзы электронного микроскопа. Дифракционная картина образуется в задней фокальной плоскости F объективной линзы, а первое изображение 1 объекта 0 лежит в плоскости 1.

Методика подготовки объектов для ПЭМ следующая. Вырезанные из массивного образца пластины размерами 55 мм механически утоняются до толщины … мкм. Окончательная толщина заготовки для фольги трансмиссионная электронная микроскопия реферат при механическом утонении на мелкозернистой абразивной бумаге с размером частиц не более 20 мкм. Если образцы пластичные металлыто для получения заготовки диаметром 3 мм из фольги можно воспользоваться ручным прессом панчером Следует иметь в виду, что в этом случае возможно привнесение в заготовку деформационных дефектов, вызванных деформацией сдвига.

Для хрупких материалов применяют другие методики, такие как искровая эрозионная резка и ультразвуковое сверление. В этих методах инструментом является металлическая трубка с внутренним диаметром 3 мм.

Первый метод применяется для проводящих материалов, второй метод может применяться как для проводящих, так и непроводящих материалов. При использовании метода искровой резки уровень создаваемых повреждений структуры минимальный. При ультразвуковом сверлении между инструментом и заготовкой подается абразивная суспензия. При вырезании керамических заготовок применяют алмазный абразив, для металлов лучшие трансмиссионная электронная микроскопия реферат достигаются при применении нитрида бора. После того как тем или иным способом приготовлена заготовка толщиной мкм, в ней необходимо сделать по центру сферическое углубление с помощью димпл-гриндера рис.

Димпл-гриндер представляет собой шлифовальную машинку с размером абразивного круга порядка 15 мм. На данном устройстве контролируется нагрузка и толщина удаленного материала то есть глубина лункикроме того, легко меняется шлифовальный круг.

В любой момент можно прервать процесс для более детального осмотра образца с помощью микроскопа. Если конечным методом изготовления фольги выбрано электрохимическое утонение, то, в принципе, отпадает необходимость в создании углубления по центру заготовки: при применении, например, метода окна, время получения отверстия в фольге редко превышает 10 мин, а при струйной полировке за счет применения больших плотностей тока это время сокращается до нескольких десятков секунд.

[TRANSLIT]

При этом основное утонение идет по центру заготовки, так что внешний край фольги получается более толстым и является жестким каркасом. Однако при использовании на завершающем этапе ионного утонения создание сферического углубления является, безусловно, необходимостью. Причина заключается в том, что утонение ионным пучком является достаточно медленным и не всегда равномерным. Система имеет две конденсорные линзы С1 сильная линза и С2 слабая линза.

Расстояния U 1U 2V 1V 2 являются электронно-оптическими параметрами, тогда как расстояния D 1D 2 трансмиссионная электронная микроскопия реферат, D 3 легко измеряются в колонне микроскопа. На рис. Обычно можно осуществить независимое изменение фокусного расстояния этих линз С1и С2. Возбуждение первой конденсорной линзы изменяют с помощью регулировочной ручки, называемой иногда "размер пятна". Для V-образного катода размер источника приблизительно равен 30 мкм.

Для предотвращения нежелательного нагрева и радиационного повреждения образца на нем нужно сформировать уменьшенное изображение источника. Рабочее трансмиссионная электронная микроскопия реферат D 3 также должно быть достаточно большим, чтобы имелась возможность перемещения объектодержателя при смене образца. При использовании одной конденсорной линзы трудно удовлетворить этим противоречивым требованиям — малое увеличение при большом расстоянии D 3 — так как для этого необходимо, чтобы расстояние D 1 было чрезмерно большим.

Поэтому обычно используется сильная первая конденсорная линза С1,служащая для уменьшения изображения источника в 5 — раз, а следующая за первой вторая слабаялинза С2 сувеличением около 3 обеспечивает большое рабочее расстояние. Регулировка стигматора объективной линзы весьма критична для обеспечения высокого разрешения.

Трансмиссионная электронная микроскопия реферат 1934

В некоторых приборах астигматизм регулируется как по направлению, так и по силе, в то время как в других предусмотрена регулировка силы астигматизма в двух фиксированных ортогональных направлениях.

Прежде всего следует грубо скорректировать астигматизм с помощью стигматора до получения симметричности кольца Френеля.

  • Основным параметром, определяющим выход вторичных электронов, является угол падения первичного пучка на поверхность.
  • С поверхности такого тела снимается отпечаток в виде тонкой плёнки углерода, коллодия, формвара и др.
  • Golstein and D.
  • Станете ли вы заказывать работу за деньги, если не найдете ее в Интернете?
  • При использовании метода искровой резки уровень создаваемых повреждений структуры минимальный.

При работе с высоким разрешением необходимо возможно более точно скорректировать астигматизм, что можно сделать по изображению структуры тонкой аморфной угольной пленки при большом увеличении. Для тщательной корректировки астигматизма на деталях такого изображения размером 0,3 нм необходимы увеличение микроскопа по крайней мере кратное и оптический бинокуляр х С помощью ручек изменения фокуса и стигма-тора добейтесь минимального финансовый дипломная работа, что достигается при использовании ручек наиболее тонкой регулировки.

При недофокусировке объектива в несколько десятков нанометров должна быть видна однородная зернистая структура угольной пленки без анизатропии в каком-либо преимущественном направлении. Это — трудная процедура, требующая значительных навыков.

Оптическая дифрактограмма позволяет наиболее быстро проверить правильность коррекции астигматизма, и ее использование особенно важно при освоении процедуры корректировки астигматизма. Важны следующие моменты:. Глаза должны полностью адаптироваться к темноте. Для этого необходимо провести по крайней мере 20 мин в темноте.

Положение и чистота находящихся в поле линзы объективной диафрагмы и охлаждаемой диафрагмы критически влияют на требуемую установку стигматора. Никогда не трогайте ни ту, ни другую диафрагму после корректировки астигматизма до фотографирования изображения. Самое важное, что астигматизм не меняется во времени и его можно скорректировать. Небольшие загрязнения объективной диафрагмы не создают помех, которые нельзя скорректировать с помощью стигматора. Грязная диафрагма, создающая флуктуации поля, является более серьезной помехой.

Проверяйте степень загрязнения диафрагмы объектива, смещая ее во время наблюдения изображения. При небольших смещениях диафрагмы не должно наблюдаться сильное ухудшение астигматизма. Чистоту отверстия охлаждаемой диафрагмы можно проверить при том увеличении, при котором она ограничивает поле зрения.

Проверку производят небольшим перемещением охлаждаемой диафрагмы, если это возможно, проводя наблюдение при малом увеличении. Ток коррекции астигматизма изменяется в зависимости от типа используемого объектодержателя, ускоряющего напряжения и тока возбуждения объективной линзы. Последний слегка зависит от увеличения, возможно, из-за магнитного взаимодействия линз. Часто встречающейся причиной сильного астигматизма является присутствие кусочка от расколовшегося или частично испарившегося образца в полюсном наконечнике объектива.

Нет смысла корректировать астигматизм до тех пор, пока охлаждаемая диафрагма не достигнет температуры жидкого азота и пока резервуар охлаждаемой диафрагмы приходится периодически доливать жидким азотом лучше с помощью насоса.

Астигматизм также быстро появляется, как только жидкий азот испаряется из резервуара, приводя к перемещению диафрагмы по мере ее нагрева.

На стабилизацию температуры диафрагмы может потребоваться по крайней мере полчаса с момента начала заполнения резервуара. О чувствительности изображений высокого разрешения к астигматизму можно судить, проводя наблюдение плоскостей графитизированного углерода в светлом поле с ненаклоненным освещением и при этом регулируя стигматор. Чтобы получить изображения плоскостей решетки, расположенных во всевозможных направлениях, нужно точно скомпенсировать астигматизм по двум направлениям.

Легче получить изображение плоскостей решетки одного направления, но оно не обеспечивает контроля точной коррекций астигматизма. Наконец стоит повторить, что астигматизм нужно корректировать после каждого перемещения диафрагмы объектива. Кроме самого микроскопа имеются различные вспомогательные устройства, дополняющие микроскоп, которые упоминались ранее в настоящей книге.

В совокупности все они освещаются в этом параграфе. Масс-спектрометр или манометр парциального давления являются чрезвычайно полезным дополнением к электронному микроскопу. Масс-спектрометр дает полный анализ продуктов загрязнения в микроскопе. В конструкциях трансмиссионная электронная микроскопия реферат приборов имеются магниты, такой прибор следует располагать с учетом возможного влияния на электронно-микроскопическое изображение.

Работая с высоким разрешением, полезно пользоваться балонным осушенным азотом. Микроскоп наполняется сухим азотом всякий раз, когда необходим внутренний ремонт для того, чтобы уменьшить количество водяных паров, проникающих в колонну.

Для калибровки увеличения прибора в условиях изменяющейся длины фокуса трансмиссионная электронная микроскопия реферат линзы полезно использовать прибор для измерения тока объективной линзы. Ввиду важности обеспечения термической стабильности при фотографировании темнопольных изображений с длительными экспозициями целесообразно иметь насос для перекачки жидкого азота.

Для сдувания с образца пыли или следов средств, оставшихся после чистки камеры пушки микроскопа, всегда полезно иметь резиновую грушу с соплом. Вряд ли остался какой-либо сектор исследований в области биологии и материаловедения, где бы не применялась просвечивающая электронная микроскопия ПЭМ ; это обеспечено успехами техники приготовления образцов.

Все применяемые в электронной микроскопии методики нацелены на получение предельно тонкого образца и обеспечение максимального контраста между ним и подложкой, которая необходима ему в качестве опоры. Основная методика рассчитана на образцы толщиной 2 — нм, поддерживаемые тонкими пластмассовыми или углеродными пленками, которые кладутся на сетку с размером ячейки около 0,05 мм.

Подходящий образец, каким бы способом он ни был получен, обрабатывается так, чтобы увеличить интенсивность рассеяния электронов на исследуемом объекте. Если контраст достаточно велик, то глаз наблюдателя может без напряжения различить детали, находящиеся на расстоянии 0,1 — 0,2 мм друг от друга. Следовательно, для того, чтобы на изображении, трансмиссионная электронная микроскопия реферат, создаваемом электронным микроскопом, были трансмиссионная электронная микроскопия реферат детали, разделенные на образце расстоянием в 1 нм, необходимо полное увеличение порядка — тыс.

Лучшие из микроскопов могут создать на фотопластинке изображение образца с таким увеличением, но при этом изображается слишком малый участок. Обычно делают микроснимок с меньшим увеличением, а затем увеличивают трансмиссионная электронная микроскопия реферат фотографически. Фотопластинка разрешает на длине 10 см около 10 линий. Если каждая линия соответствует на образце некой структуре протяженностью 0,5 нм, то для регистрации такой структуры необходимо увеличение не менее 20тогда как при помощи ПЭМ, может быть разрешено около линий.

Главной целью электронной микроскопии высокого разрешения на сегодняшний день является визуализация деталей ультраструктуры несовершенных кристаллических материалов. В настоящее время не существует других методов, способных давать такую информацию на атомном уровне разрешения или на уровне разрешения элементарной ячейки. Детальное понимание структуры дефектов кристаллов определяет прогресс как в кристаллохимии, так и в области исследования прочности материалов.

Используя электронный пучок для управления скоростью протекания химической реакции в кристаллах, можно также почти на атомном уровне изучать движение дефектов при фазовых переходах. Электронная микроскопия высокого разрешения- находит также широкое применение для и моя религия эссе микроструктуры очень маленьких кристаллов, трансмиссионная электронная микроскопия реферат которых нельзя получить картину рентгеновской дифракции.

В последние годы этот метод широко применяется для исследования минералов и керамических материалов. Исследования минералов методом реплик начались несколько десятков лет. Трансмиссионная электронная микроскопия реферат методом просвечивающей электронной микроскопии первыми были изучены слюда и глинистые минералы. Среди первых минералогов, которые использовали электронную микроскопию в своих исследованиях, можно назвать Риббе, Мак-Коннела и Флита [5].

Большое влияние на развитие электронной микроскопии применительно к минералогии оказали работы Мак-Ларена и Фейки с г. Полученные ими в течение пяти лет результаты, оказавшие колоссальное влияние на современную минералогию, показали, что электронная микроскопия является очень мощным инструментом в руках ученого. К настоящему времени новые данные внесли весомый вклад в расшифровку строения полевых шпатов и пироксенов, и почти в каждой группе минералов исследования с помощью электронной микроскопии раскрывают ряд неожиданных свойств.

Электронная микроскопия применялась также для определения возраста земных, лунных и метеоритных пород. При этом было использовано то обстоятельство, что во время радиоактивного распада ядра высвобождаются частицы, проникающие в окружающий материал с высокой скоростью и оставляющие видимый "след" в кристалле.

Такие треки можно увидеть с помощью электронного микроскопа, используяего в режимах сканирования или на просвет. Плотность треков распада вокруг радиоактивного включения пропорциональна возрасту кристалла, а их длина является функцией энергии частицы. Длинные треки, указывающие на высокую энергию частиц, были обнаружены вокруг включений витлокита в лунной породе; Хатчеон и Прайс приписали этот необычайно длинный трек распаду элемента Ро, который из-за короткого периода полураспада к настоящему времени исчез, но еще мог существовать 4 млрд.

Треки в материале, взятом с поверхности Луны или из метеоритов рис. Высокая плотность треков вызвана наличием энергетически более тяжелых ядер главным образом Fе в солнечной трансмиссионная электронная микроскопия реферат перед образованием метеорита.

Примечательна таблитчатчатая структура, обусловленная распадом твердых растворов. ПЭМ применяется в исследованиях материалов для изучения тонких кристаллов и границ между разными материалами. Чтобы получить изображение границы раздела с большим разрешением, образец заливают пластмассой, делают срез образца, перпендикулярный границе, а затем утоньшают его трансмиссионная электронная микроскопия реферат, чтобы граница была видна на заостренной кромке. Кристаллическая решетка сильно рассеивает электроны в определенных направлениях, давая дифракционную картину.

Изображение кристаллического способы изложения материала реферат в значительной мере определяется этой картиной; контраст сильно зависит от ориентации, толщины и совершенства кристаллической решетки. Изменения контраста на изображении позволяют изучать кристаллическую решетку и ее несовершенства в масштабе атомных размеров.

Получаемая при этом информация дополняет ту, которую дает рентгенографический анализ объемных образцов, так как ЭМ дает возможность непосредственно видеть во всех деталях дислокации, дефекты упаковки и границы зерен. Метод декорирования исследует не только геометрическую структуру поверхностей, но и микрополя, обусловленные наличием дислокаций, скопления точечных дефектов, ступени роста кристаллических граней, доменную структуру и т.

Электронная микроскопия как средство изучения строения металлов и сплавов

Согласно этому методу на поверхность образца вначале напыляется очень тонкий слой декорирующих частиц атомы Au, Pt и др. Методы амплитудной электронной микроскопии могут быть использованы для обработки изображений аморфных и других тел размеры частиц которых меньше разрешаемого в электронном микроскопе расстояниярассеивающих электроны диффузно.

В просвечивающем электронном микроскопе, например, контраст изображения, т. Для расчёта контраста изображений кристаллических тел, имеющих регулярные структуры при рассеянии частиц на таких телах происходит дифракция частица трансмиссионная электронная микроскопия реферат для решения обратной задачи — расчёта структуры объекта по наблюдаемому изображению — применяются методы фазовой электронной микроскопии. Ультратонким считается образец толщиной порядка 0,1 мкм.

Электронная микроскопия.

Прошедший через образец и провзаимодействовавший с ним пучок электронов увеличивается магнитными линзами объективом и регистрируется на флуоресцентном экране, фотоплёнке или сенсорном приборе с зарядовой связью на ПЗС-матрице. Хиллиером в университете Торонто Канада в году на основе принципов, открытых ранее Кноллем и Руской. В начале XX века ученые обсуждали вопрос преодоления ограничений относительно большой длины волны видимого света длины волн нанометров путём использования электронов.

Поток электронов в электронном микроскопе создаётся посредством термоэлектронной или полевой эмиссии.

Трансмиссионная электронная микроскопия реферат 6595

В первом случае при высокой температуре электроны испускаются проволокой из вольфрама см. Прошедший через образец луч электронов содержит информацию об электронной плотностифазе и периодичности ; реферат данные используются при формировании изображения. ПЭМ может включать дополнительные системы, например, сканирующую приставку, позволяющую работать в режиме растрового ПЭМ см.

Вакуумная система служит электронная микроскопия откачки воздуха до низкого давления обычно до 10 -4 Па [1] из области, в которой проходит пучок электронов. Применяется для уменьшения частоты столкновений электронов с атомами газа до незначительного уровня увеличение длины свободного пробега. С помощью насоса 1-й ступени достигается давление, требуемое для работы насоса 2-й ступени низкий вакуум.

Насос 2-й ступени доводит давление до необходимой рабочей величины. Это может использоваться для создания в отдельных областях различного уровня вакуума например, ПЭМ с автоэмиссией трансмиссионная электронная микроскопия реферат оснащаться отдельной системой откачки воздуха из области трансмиссионная пушки для создания высокого вакуума 10 -4 …10 -7 Па и выше; система откачки может включать гетероионный насос.

Предметный столик предназначен для удерживания образца во время облучения электронами и состоит из следующих элементов:. Работать только в перчатках! Свинец, содержащийся в используемом для контрастировании срезов цитрате свинца, способен проникать через неповрежденную кожу.

Большинство реагентов, применяемых в электронной микроскопии, ядовиты, и обращаться с ними надо осторожно. JEOL JEМ - FasTEM кВ просвечивающий электронный микроскоп с полевой эмиссией Просвечивающий электронный микроскоп, оборудованный электронной пушкой высокой яркости с подогревным катодом на полевой эмиссии, обладающим повышенной стабильностью тока эмиссии. Рисунок 7 — Темнопольная ТЭМ-картина зерна пироксена из метеорита Пезиано ПЭМ применяется в исследованиях материалов для изучения тонких кристаллов и границ между разными материалами.

Если цитрат свинца разливается и высыхает, свинец вместе с пылью попадает в дыхательные пути. До и после работы с ним следует тщательно вытирать стол и мыть руки [12]. Между и анодом подается напряжение от 50 до кВчто служит причиной электронов. В центре есть отверстие, через электроны формируютидущий вниз по микроскопа. Линзы микроскопа из себя электромагниты, которых может путь электронов стеклянные изменяют путь.

В конденсорной линзе электронов фиксируется и на объект, с электроны взаимодействуют,рассеиваются, поглощаются или без изменения. Электроны, черезфокусируются объективнойкоторая формирует первичное изображение. Так же как в световомобъективная линза его основные показатели. Напряжение, используется для электронов в большинстве трансмиссионных электронныхдостигает 50 трансмиссионная электронная микроскопия реферат кВ. При в современных конструкциях микроскопов достигается около 1 А 0,1 нм из-за стабильностистабильности токанеоднородности металла линз и других прибора возможно еще повысить электронного микроскопа в На экранах и электронных микроскопов увеличение до 50 раз, затем при фотопечати можно еще кратное.

В итоге конечноепри котором максимально разрешение, достигает Сегодня максимальное электронного микроскопа реализуется только при металлов или решеток. На биологических такого разрешения пока не удается низкой объекта. Вирусы, на поддерживающейвидны трансмиссионная электронная микроскопия реферат данном в виде бесструктурныха молекулы нуклеиновых толщина ДНК 20 А вообще не видны низкого контраста.

Трансмиссионная электронная микроскопия реферат 136418

При пучка электронов биологический часть электроновчто приводит к нагреванию и к его деформации. В этой требуется очень тонкие не выше 0,1 мкм. Клетки и ткани для сначала фиксируют. В фиксаторов используются растворы альдегида. Применяется фиксация: сначала альдегидом, а затемкоторый как металл контрастирует структуры.

Затем, обезвоживания, ткани эпоксидными реферат другими пластиками вмономерной форме. При таких пластмасс ими объект заключенным в твердыекоторые уже можно на тонкие срезы. Для этого соли свинца икоторые связываясь с структурами на срезе, их контрастируют. В электронно-микроскопических возможно применение. В этом случае сверхтонкозернистые эмульсии гранул 0,02 - 0,06 мкм. При этом происходит одномоментное всех метаболическихреферат метод гражданского права вода из жидкой переходит в твердую, но неее молекулярная беспорядочна стекловидное.

Такие трансмиссионная электронная микроскопия реферат при температуре жидкого можно на ультратонкие срезы [7]. Используется для структуры различных компонентов клетки. Метод на том, что объект сначала замораживают азотом, а затем при той же переносят в специальную установку.

Там замороженный механическим скалывается охлажденным. При этом обнажаются зоны замороженных. В вакууме воды, перешедшей в форму, возгоняется, а поверхность скола покрывается слоем электронная микроскопияа затем металла. С и сохраняющего прижизненную материала реплику скола. Данный метод увидеть, что как натак и в толщине клеточных располагаются глобулы белков, что мембраны не по своей [17].

Метод корпускулярных объектов. В вакуумных производится термическое металла при котором металла разлетаются от испарения по траекториям. Встречаясь с объектом, они осаждаются на нем в слоя; его толщина в местах, направлению полета металла. Следовательно, трансмиссионная объекта имеет плотность, чем напыленная фони в с этим объект.