Доклад на тему импульсные диоды

29.09.2019 pearheatssym DEFAULT 3 comments

Система классификации П. Выполнили студенты: Татаренко А. Загружай и скачивай презентации бесплатно! Лямбда-диод Кристаллический детектор Диодный мост p-n -переход. Скачать журнальный лицензионный ключ dr web.

Вентильные свойства.

Доклад на тему импульсные диоды 1315

Электронно-дырочный переход Принципы действия большинства полупроводниковых приборов основаны на явлениях и процессах, возникающих на границе p- и n- областей. Фотоприемники Ермилова Регина Фёдорова Юлия 1.

Фотоприемники Полупроводниковые приборы, регистрирующие оптическое излучение, преобразующие оптический. Панюков Ю.

Тиристором называют полупроводниковый прибор, состоящий из четырех последовательно чередующихся областей.

Преступления против общественного порядка контрольная работаСредства проектирования баз данных реферат
Эссе теория разделения властейКак в дипломной работе оформляется список литературы
Доклад влияние византийской культуры на культуру древней русиРеферат наука и техника
Олимпионики древней греции докладДоклад о партии яблоко

Еще похожие презентации в нашем архиве:. Загрузить Войти.

Мои презентации Профиль Сообщения Выход. Вход в систему. Войти с помощью социльных сетей Забыли пароль? Скачать презентацию. Назад Скачать презентацию. Идет загрузка презентации. Пожалуйста, подождите. Получить код презентации. Копировать в буфер обмена. Похожие презентации. Презентация на тему: " Доклад по микрооптоэлектронике Диоды и гетеропереходы.

Электрическое поле действует только в i - области и оно практически однородное. Барьерная емкость p-i-n диода за счет широкой i - области мала и слабо зависит от приложенного к диоду напряжения.

Особенность работы p-i-n- диода состоит доклад на тему импульсные диоды следующем. Во-первых, при прямом смещении происходит инжекция электронов из п -области и дырок из р -области в i - область, что приводит к резкому уменьшению прямого сопротивления диода.

Во-вторых, носители тока в i- области перемещаются не только за счет диффузии, но и дрейфуют в поле, что увеличивает их скорость и уменьшает время переноса носителей тока.

Доклад на тему импульсные диоды 9718

Оба эти фактора увеличивают значение максимальной частоты работы таких диодов. При обратном напряжении происходит интенсивная экстракция носителей из i - области, что приводит к дополнительному возрастанию обратного сопротивления.

Импульсные диоды - доклад. Основные параметры импульсных диодов

Таким образом, для p-i-n диодов характерно большое отношение обратного к прямому сопротивлению, что обуславливает их хорошие импульсные свойства в переключательном режиме работы. Кроме того, такие диоды могут коммутировать в импульсе достаточно высокие мощности до нескольких десятков кВт.

В качестве импульсных диодов находят применение мезадиоды.

  • Конструктивно диоды Шоттки выполняют в виде пластины низкоомного кремния, на которую нанесена высокоомная эпитаксиальная пленка с электропроводностью того же типа.
  • Второе явление — это перезарядка барьерной емкости, которая тоже происходит не мгновенно, а характеризуется постоянной времени , где - дифференциальное сопротивление диода сопротивление по переменному току , а - барьерная емкость - перехода.
  • Электрическое поле действует только в i - области и оно практически однородное.
  • В быстродействующих импульсных схемах широко используют диоды Шоттки, площадь перехода которых обычно составляет мкм в диаметре, а барьерная емкость не превышает 1 пФ.

Их особенностью является технология изготовления. Такая технология позволяет получать р-п переходы с очень малой площадью и малой емкостью перехода и тем самым малым временем переключения. Условно-графическое обозначение импульсного диода такое же как и у выпрямительного, возможные конструкции импульсных диодов приведены на рисунке 1.

Дополнить статью статья слишком короткая либо содержит лишь словарное определение. Первое — это накопление неосновных носителей в базе диода при его прямом включении, то есть заряд диффузионной емкости.

Как влияет температура на вольтамперную характеристику германиевых и кремниевых выпрямительных диодов? Огромное количество современных электронных устройств используют в своей работе электрические импульсы.

Доклад по микрооптоэлектронике Диоды и гетеропереходы. - презентация

Это могут быть слаботочные сигналы или токовые импульсы что гораздо серьезнее в техническом отношении в цепях блоков питания и прочих импульсных преобразователей, инверторов и т.

А действие импульсов в преобразователях - это всегда критичность к длительности форнтов и спадов, имеющих временные границы примерно того же порядка, что и переходные процессы в электронных компонентах, в частности - в тех же диодах.

правильный выбор диодов для ремонта импульсных блоков питания

Поэтому, при использовании в импульсных схемах диодов, следует обязательно принимать во внимание переходные процессы в самих импульсные диоды - во время их включения и выключения во время открывания и закрывания p-n-перехода.

В принципе, чтобы сократить время переключения диода из неповодящего состояния - в проводящее и обратно, в некоторых низковольтных схемах целесообразно прибегать. Диоды данной технологии отличаются от обычных выпрямительных диодов наличием перехода металл-полупроводник, который хоть и обладает выраженным тему эффектом, но в то же самое время имеет сравнительно малую проходную емкость перехода, заряд в которой накапливается в настолько некритичных количествах и так быстро рассасывается, что схема с диодами Шоттки может работать на достаточно высокой частоте, когда время переключения имеет порядок единиц наносекунд.

Еще доклад плюс диодов Шоттки - падение напряженя на их переходе составляет всего около 0,3 вольт.

В этих диодах сильнолегированные р и п области разделены достаточно широкой областью с собственной проводимостью. Назовите основные параметры выпрямительных диодов.

Итак, главное достоинство диодов Шоттки - в них не затрачивается времени на накопление и рассасывание зарядов, быстродействие здесь зависит только от скорости перезаряда небольшой барьерной емкости. Что касаетсято изначальное предназначение данных компонентов вообще не предполагает работу в импульсных режимах.

1878317

Импульсный режим для выпрямительного диода - это нетипичный, нештатный рижим, поэтому и особо высоких требований к быстродействию выпрямительных диодов разработчиками не предъявляется. Выпрямительные диоды используются в основном для преобразования низкочастотного переменного тока в постоянный или пульсирующий, где доклад не требуется малая проходная емкость p-n-перехода и быстродействие, чаще нужны просто большая тему и соответственно высокая стойкость к относительно длительному непрерываному току.

Выпрямительные диоды отличаюстя поэтому малым сопротивлением в открытом состоянии, большей площадью p-n-перехода, способностью пропускать большие токи. Но за счет значительной площади перехода емкость диода импульсные диоды больше - порядка сотен пикофарад. Это очень много для импульного диода. Стабилитрон Со скрытой структурой Лавинный диод Стабистор. Лямбда-диод Кристаллический детектор Диодный мост p-n -переход.

Полупроводниковый диод

Категория : Полупроводниковые диоды. Пространства имён Статья Обсуждение.

Импульсные диоды

Просмотры Читать Править Править код История. На других языках Добавить ссылки. Эта страница в последний раз была отредактирована 10 октября в Текст доступен по лицензии Creative Commons Attribution-ShareAlike ; в отдельных случаях могут действовать дополнительные условия.

Доклад на тему импульсные диоды 914543

Эта страница в последний раз была отредактирована 20 сентября в Текст доступен по лицензии Creative Commons Attribution-ShareAlike ; в отдельных случаях могут действовать дополнительные условия.

Подробнее см. Условия использования. Политика конфиденциальности Описание Википедии Отказ от ответственности Свяжитесь с нами Разработчики Заявление о куки Мобильная версия.